Transistor MOSFET N-Channel IRF540N TO-220 100V 33A 44mΩ 47.3nC High Speed Power MOSFET

Transistor MOSFET di Potenza a Canale N IRF540N TO-220 100V 33A

Il componente IRF540N è un transistor Power MOSFET a canale N (N-FET) avanzato con tecnologia HEXFET, progettato per offrire una combinazione ottimale di resistenza di stato ON estremamente ridotta, velocità di commutazione elevata e grande affidabilità dinamica.

Grazie alla tensione nominale di 100V e alla corrente continua di Drain fino a 33A, l’IRF540N rappresenta una scelta ideale per la gestione di carichi elettrici induttivi e resistivi ad alta potenza. Il contenitore standard TO-220AB garantisce una bassa resistenza termica ed è dotato di un foro centrale per il fissaggio diretto a dissipatori di calore in alluminio tramite vite M3.

Questo componente è ampiamente utilizzato nel pilotaggio di motori DC, nella regolazione PWM di strisce LED ad alta potenza, negli alimentatori switching (SMPS), nei sistemi inverter e nei circuiti di commutazione a stato solido con schede Arduino, ESP32 o driver dedicati.

Applicazioni Tipiche:

• Controllo Motori DC e Passo-Passo: Driver di potenza H-Bridge per il controllo di direzione e velocità tramite segnale PWM.

• Alimentatori Switching e Inverter: Stadi di commutazione per alimentatori ad alto rendimento, convertitori Buck/Boost e inverter DC-AC.

• Switch a Stato Solido (Solid State Relay): Commutazione rapida e priva di usura meccanica per carichi a 12V, 24V, 36V e 48V.

• Gestione Strisce LED e Carichi Resistivi: Modulazione di luminosità (dimming) e gestione di riscaldatori o elettrovalvole.

N.B. INDICAZIONI SULLA TENSIONE DI GATE:

• L’IRF540N è un MOSFET standard che richiede una tensione VGS di 10V sul pin di Gate per entrare in piena conduzione con la minima resistenza (44 mOhm).

• Se utilizzato direttamente con i pin a 3.3V o 5V dei microcontrollori (Arduino/ESP32), si consiglia l’uso di un transistor BJT intermedio, un optocoppiatore o un driver MOSFET dedicato per pilotare la Gate a 10V ed evitare surriscaldamenti.

Specifiche Tecniche:

• Modello: IRF540N (N-Channel Power MOSFET)

• Package: TO-220AB

• Tensione Drain-Source (VDSS): 100V DC

• Corrente Continua di Drain (ID): 33A (a TC = 25°C) / 23A (a TC = 100°C)

• Corrente Impulsiva di Drain (IDM): 110A

• Resistenza RDS(on) Max: 44 mOhm (0.044 Ohm) con VGS = 10V

• Tensione di Soglia Gate (VGS(th)): 2.0V – 4.0V

• Carica di Gate Totale (Qg): 47.3 nC

• Dissipazione di Potenza (PD): 130W (a TC = 25°C)

• Temperatura di Esercizio: Da -55°C a +175°C

• Piedinatura (Pinout TO-220): Pin 1: Gate (G) | Pin 2: Drain (D) | Pin 3: Source (S) / Tab posteriore collegata a Drain

Contenuto della Confezione:

• 1 x Transistor Power MOSFET N-Channel IRF540N in package TO-220.